PPTC Resettable SMD varovalka 0805 0603 Površinski nosilec za matične plošče PC

Polyswitch Resettable PPTC varovalke. Naprave za zaščito pred prekomernim tokom z različnimi možnostmi: Površinska montaža, Radialno svinčeno, Jermen in nizka odpornost. Zavarujte svoja vezja z varovalki za ponovno naselitev Bourns® Multifuse® Polymer PTC, Ponudba močne zaščite pred prekomernim tokom v okolju z visokim tempom.

Polimerna varovalka za ponovno naselitev PTC 6V 2 IH površinski nosilec 1210 (3225 Metrika)

Littelfuse SMD300F-2 Polimerna PTC Resettable Fuse 6V 3A IH površina

Littelfuse ASMDC030F-2 Polimerna PTC Resettable Fuse 60V 300MA

Ime predmeta:	1210 SMD PPTC varovalka	Vrsta namestitve:	Površinska montaža
Standardno:	UL 248-14	Nazivna napetost:	30V 13.2V 6V
Trenutna ocena:	0.05A 0,1a 0,2a 0,35a 0,5a 0,75a 1,1a 1,5a 1,75a 2a	Skladno z RoHS:	ja
Brez halogenov:	ja
Visoka svetloba:	6V Resettable SMD varovalka, PPTC Resettable SMD varovalka, 2 AMP ponovna varovalka

Opis izdelka

1210 Površinska varovalka SMD varovalka PPTC ResetTALBE varovalke 30V 13,2V 6V 0,05a 0,1a 0,2a 0,35a 0,5a 0,75a 1,1a 1,5a 1,75a 2a

1210 Funkcije varovalk SMD

◆ Naprave za pritrditev na površino

◆ Standardni odtis 1210mils

◆ Embalaža pritrditve površine za samodejno montažo

◆ Združljivo s profili za refleksno refleksnico brez PB in PB.

◆ ul, C-, TUV

◆ ROHS, Doseči, HF skladnost

1210 Aplikacije za varovalke SMD

Mobilni telefoni

PC matične plošče

IEEE1394 pristanišča

USB zaščita pristanišč

Zaščita virov HDMI

Zaščita pristanišč za igranje

1210 Specifikacija varovalk PPTC SMD

Vmax	Ih
30V	0.05A 0,1a 0,2a 0,2a 0,3a
13.2V	0.5A
6V	0.35A 0,75a 1,1a 1.5a 1,75a 2a

Dimenzija

Naprava za ponovitev varovalke ali polimernega pozitivnega temperaturnega koeficienta (Pptc) je pasivna elektronska komponenta, ki se uporablja za zaščito pred prekomernimi napakami v elektronskih vezjih. Naprava je znana tudi kot multifuse ali polifuse ali Polyswitch. Po podobni funkciji so v določenih situacijah podobni kot PTC termistorji, vendar delujejo na mehanskih spremembah, namesto na učinke nosilca naboja v polprevodnikih.