PPTC herbevestiging SMD -zekering 0805 0603 Oppervlaktemontage voor pc -moederborden

PolySwitch Resettable PPTC -lonten. Hervetbare overstroombeveiligingsapparaten met verschillende opties: Opbouwmontage, Radiaal lood, Riem en lage weerstand. Beveilig uw circuits met Bourns® Multifuse® Polymer PTC Resettable -zekeringen, het bieden van robuuste overstroombescherming in omgevingen met hoge temperatuur.

Polymere PTC herstelbare zekering 6V 2 Een IH -oppervlaktebevestiging 1210 (3225 Metriek)

Littelfuse SMD300F-2 Polymer PTC Resettable Fuse 6V 3A IH Surface

Littelfuse ASMDC030F-2 Polymere PTC-resetbare zekering 60V 300mA

Artikelnaam:	1210 SMD PPTC-zekering	Montagetype:	Opbouwmontage
Standaard:	UL 248-14	Spanningswaarde:	30V 13,2V 6V
Huidige score:	0.05A 0,1A 0,2A 0,35A 0,5A 0,75A 1,1A 1,5A 1,75A 2A	RoHS-compatibel:	Ja
Halogeenvrij:	Ja
Hoog licht:	6V Resetbare SMD-zekering, PPTC herbevestiging SMD -zekering, 2 Ampère-resetbare zekering

Productbeschrijving

1210 Opbouwzekering SMD-zekering PPTC RESETTALBE ZEKERINGEN 30V 13,2V 6V 0,05A 0,1A 0,2A 0,35A 0,5A 0,75A 1,1A 1,5A 1,75A 2A

1210 SMD-ZEKERING Kenmerken

◆ Apparaten voor opbouwmontage

◆ Standaard voetafdruk van 1210 mil

◆ Opbouwverpakking voor geautomatiseerde montage

◆ Compatibel met Pb- en Pb-vrije soldeer-reflow-profielen.

◆ UL, C-, TUV

◆ RoHS, Bereik, HF-naleving

1210 SMD FUSE-toepassingen

Mobiele telefoons

PC-moederborden

IEEE1394-poorten

Bescherming USB-poort

Bescherming van HDMI-bronnen

Poortbeveiliging voor gameconsole

1210 PPTC SMD-ZEKERINGSspecificatie

Vmax	Ik
30V	0.05A 0,1A 0,2A 0,2A 0,3A
13.2V	0.5A
6V	0.35EEN 0,75A 1,1A 1,5A 1,75A 2A

Dimensie

Een resetbare zekering of polymeer apparaat met positieve temperatuurcoëfficiënt (PPTC) is een passieve elektronische component die wordt gebruikt om te beschermen tegen overstroomfouten in elektronische circuits. Het apparaat wordt ook wel multifuse, polyfuse of polyswitch genoemd. Ze zijn qua functie vergelijkbaar met PTC-thermistors in bepaalde situaties, maar werken op mechanische veranderingen in plaats van ladingsdragereffecten in halfgeleiders.